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（原标题：英伟达自研HBM背后） 公众号铭刻加星标，第一时辰看推送不会错过。 来源 ：内容来自工商时报 。 市集传出，英伟达（NVIDIA）已启动自家HBM（高频宽存储器）Base Die的设策略划，异日不管搭配那一家存储器品牌的HBM堆栈居品，底层逻辑裸片（Base Die）齐将遴选英伟达自有测度打算决议，制程节点锁定3nm，预估将于2027年下半年驱动小量试产。 此音信一出，触动HBM生态链，市集东谈主士担忧，恐改写下一代HBM市集竞争疆城。 刻下HBM市占率最高为SK海力士，其HBM B

（原标题：台媒：DRAM巨头，HBM有变） 公众号牢记加星标，第一时辰看推送不会错过。 开首：内容编译自digitimes。 据digitimes报谈，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这标明在正在进行的 DRAM 再行想象使命中，三星电子将继承愈加严慎的推出款式。 该公司泉源经营在 2025 年下半年开动量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模块。不外，据韩国出书物Deal Site报谈，三星意料打算在 2025 年第